شرکت اسکی هاینیکس (SK hynix)، یکی از پیشگامان صنعت نیمههادی جهان، امروز در خبری مهم از دستاورد جدید خود در عرصه فناوری حافظه رونمایی کرد. این شرکت موفق به توسعه راهکار UFS 4.1 با استفاده از پیشرفتهترین فناوری حافظه فلش ۴D NAND شده است. این حافظه که دارای ساختار سه سطحی با ظرفیت ۱ ترابیت است، با ۳۲۱ لایه، رکورددار بیشترین تعداد لایه در جهان محسوب میشود و مخصوصاً برای کاربردهای موبایلی طراحی شده است. با ما در آیتی پرس همراه باشید.
این پیشرفت چشمگیر SK Hynix در پاسخ به نیاز روزافزون بازار به محصولات NAND با عملکرد بالا و مصرف انرژی بهینه صورت گرفته است. با گسترش کاربردهای هوش مصنوعی در دستگاههای موبایل، اطمینان از عملکرد پایدار و کارآمد این فناوری اهمیت ویژهای یافته است. SK Hynix با اطمینان پیشبینی میکند که محصول UFS 4.1، که به طور خاص برای پردازشهای هوش مصنوعی بهینهسازی شده است، نقش مهمی در تحکیم موقعیت رهبری این شرکت در بازار گوشیهای هوشمند پرچمدار ایفا خواهد کرد.
ویژگیهای ساختهی جدید SK Hynix:
در شرایط کنونی که تقاضا برای پردازش هوش مصنوعی در دستگاههای موبایل به شدت افزایش یافته، ایجاد تعادل میان توان محاسباتی و بهرهوری باتری به یک چالش اساسی تبدیل شده است. بازار موبایل امروز خواستار دستگاههایی است که علاوه بر قدرت پردازشی بالا، از نظر ضخامت و مصرف انرژی نیز بهینه باشند. در این راستا، جدیدترین محصول SK Hynix با ارتقای ۷ درصدی در کارایی مصرف انرژی نسبت به نسل قبلی (مبتنی بر NAND ۲۳۸ لایه) عرضه شده است. همچنین، ضخامت این محصول از ۱ میلیمتر به ۰.۸۵ میلیمتر کاهش یافته که آن را برای استفاده در نسل جدید گوشیهای هوشمند فوقباریک ایدهآل میسازد.
از نظر عملکرد، این محصول جدید قابلیتهای چشمگیری را به نمایش میگذارد. سرعت انتقال داده ۴۳۰۰ مگابایت بر ثانیه، که بالاترین سرعت خواندن ترتیبی در نسل چهارم UFS محسوب میشود، تنها یکی از ویژگیهای برجسته آن است. علاوه بر این، بهبود ۱۵ درصدی در سرعت خواندن تصادفی و افزایش ۴۰ درصدی در سرعت نوشتن تصادفی، قابلیتهای چند وظیفگی دستگاه را به طور قابل توجهی ارتقا میدهد. این پیشرفتها به معنای دسترسی سریعتر به دادههای مورد نیاز برای پردازشهای هوش مصنوعی، اجرای روانتر برنامهها و در نهایت، تجربه کاربری بهتر است.
برنامه SK Hynix برای آینده این محصول نیز مشخص شده است. این شرکت در نظر دارد تا پایان سال جاری، تأییدیههای لازم را از مشتریان کلیدی خود دریافت کند و تولید انبوه را از سهماهه نخست سال آینده آغاز نماید. محصول نهایی در دو نسخه با ظرفیتهای ۵۱۲ گیگابایت و ۱ ترابایت به بازار عرضه خواهد شد.
آن هیون، رئیس و مدیر ارشد توسعه SK Hynix، در اظهارنظری مهم از برنامههای آینده شرکت پرده برداشت. وی اعلام کرد که توسعه SSD مبتنی بر NAND 4D با ۳۲۱ لایه، هم برای بخش مصرفکنندگان و هم برای مراکز داده، تا پایان سال تکمیل خواهد شد. او با اطمینان خاطر افزود: “با گسترش سبد محصولات خود و تمرکز بر مزیتهای فناوری هوش مصنوعی، در مسیر تبدیل شدن به یک تأمینکننده جامع حافظههای هوش مصنوعی در حوزه NAND قرار داریم.”
این پیشرفتها نشاندهنده تعهد اسکی هاینیکس به نوآوری و پیشرفت در صنعت حافظه است و میتواند تأثیر قابل توجهی بر آینده دستگاههای موبایل و کاربردهای هوش مصنوعی داشته باشد.
